プロセス装置 | 東京大学・ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構・量子イノベーション協創センター | Quantum Innovation Co-creation Center, Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo

電子線描画装置 Electron beam lithography Acceleration voltage: 50 kV Controllability of beam position: >5 nm Beam scanning step: >2.5 nm Field emission type
誘導結合型反応性イオンエッチング装置 ICP reactive ion etching #1(Right) Etching gas: Cl2 O2 Plasma gas: Ar Xe Maximum wattage: 600W Base temp.: 150 ℃ #2(Left) Etching gas: CF4, C4F8, O2 Plasma gas: Ar Wattage: ICP 1kW/ BIAS 300W Base temp.: RT
誘導結合型反応性イオンエッチング装置 ICP reactive ion etching Etching gas: O2, CHF3, C4F8, SF6, HBr Plasma gas: Ar Wattage: 1500W/1000W Temp: -150℃ – 100℃
レーザ素子用ダイボンダ装置 Semiconductor laser chip bonder
ワイヤボンダ装置 Wire bonder
スパッタ装置 Sputtering systems Rf power : 500W Gas : Ar, O2, N2 Target : SiO2, ITO, Al etc
電子線蒸着装置 Electron Beam Evaporator